A.開關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強度的比B.一般希望開關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點C.提高NMOS的驅(qū)動強度將使開關(guān)閾值趨近于GNDD.增加PMOS或NMOS的寬度使開關(guān)閾值分別向電線接地端或電源電壓移動
A.減小輸出電容或加大器件的W/L實現(xiàn)的B.增大輸出電容或減小器件的W/L實現(xiàn)的C.增大輸出電容或加大器件的W/L實現(xiàn)的D.減小輸出電容或減小器件的W/L實現(xiàn)的
A.邏輯電平與器件的相對尺寸無關(guān)B.輸出電壓擺幅等于電源電壓C.由于反相器的輸入節(jié)點只連到晶體管的柵上,所以穩(wěn)態(tài)輸入電流幾乎為零D.CMOS反相器具有高輸出阻抗,這使它對噪聲和干擾不敏感