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A.開關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強度的比
B.一般希望開關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點
C.提高NMOS的驅(qū)動強度將使開關(guān)閾值趨近于GND
D.增加PMOS或NMOS的寬度使開關(guān)閾值分別向電線接地端或電源電壓移動

A.減小輸出電容或加大器件的W/L實現(xiàn)的
B.增大輸出電容或減小器件的W/L實現(xiàn)的
C.增大輸出電容或加大器件的W/L實現(xiàn)的
D.減小輸出電容或減小器件的W/L實現(xiàn)的