DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

關(guān)于SRAM和DRAM，下面說(shuō)法正確的是（）。

光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號(hào)的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）

一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi)，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>

對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō)，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。