DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。（）

某電路，對100KHz以下低頻信號干擾敏感，為減少干擾，應采用（）濾波器。

關于監(jiān)控信道的描述，正確的是：（）。

ITU-T中，當光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng)，中心波長的偏差不能大于：（）

晶體管能夠放大的外部條件是（）。