DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）

硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）

本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。

對(duì)于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。

放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）