問答題

【簡答題】為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應）？

答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強度增加，電流隨之增大，...

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【簡答題】什么是溝道長度調(diào)制效應，對器件有什么影響？

答案： MOS晶體管存在速度飽和效應。器件工作時，當漏源電壓增大時，實際的反型層溝道長度逐漸減小，即溝道長度是漏源電壓的函數(shù)，這...

【簡答題】請以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應，并解釋其對PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。

答案：對于PMOS晶體管，通常情況下襯底和源極都接最高電位，襯底偏壓，此時不存在襯偏效應。而當PMOS中因各種應用使得源端電位...