問答題請以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng),并解釋其對PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
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制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題