填空題多孔磚的孔洞應(yīng)垂直于受壓面砌筑,半盲孔、多孔磚的封底面應(yīng)()砌筑。
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題