一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列是晶體的是（）。