最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()