A、未能取得同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度
B、同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度被判為不合格
C、現(xiàn)場(chǎng)混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護(hù)
D、鋼筋保護(hù)層厚度不滿足要求
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A.在選擇切割線時(shí),宜選取豎向灰縫上、下對(duì)齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機(jī)的鋸片(鋸條)對(duì)準(zhǔn)切割線,并垂直于墻面,然后應(yīng)啟動(dòng)切割機(jī),并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過(guò)程中,切割機(jī)不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應(yīng)使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活,并應(yīng)固定和移動(dòng)方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
A、《砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)規(guī)范》
B、《砌體結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》
D、《砌體基本力學(xué)性能試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》
E、《砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)》
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
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最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()