A.在選擇切割線(xiàn)時(shí),宜選取豎向灰縫上、下對(duì)齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機(jī)的鋸片(鋸條)對(duì)準(zhǔn)切割線(xiàn),并垂直于墻面,然后應(yīng)啟動(dòng)切割機(jī),并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過(guò)程中,切割機(jī)不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應(yīng)使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
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A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活,并應(yīng)固定和移動(dòng)方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
A.扁頂法
B.回彈法
C.原位軸壓法
D.筒壓法
E.切制抗壓試件法
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最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;