最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
PN結的基本特性是（）
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
