單項(xiàng)選擇題40Cr鋼的碳含量范圍是()
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題下列諸鋁合金中,不能進(jìn)行時效強(qiáng)化的是()
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
2.單項(xiàng)選擇題對球墨鑄鐵件進(jìn)行下列哪種熱處理可得到鐵素體基球鐵()
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
3.單項(xiàng)選擇題白口鑄鐵件不具有下列哪個性能()
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
4.單項(xiàng)選擇題高速鋼經(jīng)最終熱處理后的組織應(yīng)該是()
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
5.單項(xiàng)選擇題下列諸材料被稱為低變形鋼適合作冷作模具的是()
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題