單項(xiàng)選擇題下列諸材料中熱硬性最好的是()
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
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1.單項(xiàng)選擇題下列諸材料中淬透性最好的是()
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
2.單項(xiàng)選擇題過共析鋼因過熱而析出網(wǎng)狀滲碳體組織時(shí),可用下列哪種工藝消除()
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
3.單項(xiàng)選擇題下列指標(biāo)中,哪個(gè)是只決定了鋼的成份的性能()
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
4.單項(xiàng)選擇題過共析鋼進(jìn)行下列哪種熱處理可能會(huì)造成網(wǎng)狀滲碳體析出()
A、完全退火
B、再結(jié)晶退火
C、正火
D、去應(yīng)力退火
5.單項(xiàng)選擇題亞共晶白口鑄鐵的退火組織中,不可能有下列中的哪種組織()
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題