集成電容主要有幾種結構？

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。