編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？