晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？