為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

從設(shè)計的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。