MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。