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大馬士革工藝的名字來源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術家發(fā)明的一種技術。
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多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。
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側墻用來環(huán)繞多晶硅柵,防止更大劑量的源漏注入過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿通。
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