集成電容主要有幾種結構？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數載流子來區(qū)別。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

集成電路電阻可以通過（）產生。