判斷題LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強(qiáng)的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。
您可能感興趣的試卷
最新試題
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}