設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結構？

MOS器件存在哪些二階效應？

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？