填空題在微電子學(xué)中的空間尺寸通常是以μm和()為單位的。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括()。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
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常壓的硅外延方法有()。
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金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題