摻雜后退火時間一般在（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。