A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
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A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
A、實驗應(yīng)在1小時內(nèi)做完
B、試驗段長度應(yīng)為2米
C、實驗前應(yīng)做硬度試驗
D、最終的總應(yīng)變越小越好
A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。