A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評定試件
D、吊裝試件
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A、當砼自由傾落高度大于3米時,宜采用串筒、溜槽等輔助設備
B、澆筑清水砼時,應多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結構時,應分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時間段交替泵送不同強度等級砼時,輸送管中不得混入其它不同強度等級砼
A、炎熱天氣時,砼拌合物入模溫度不應高于35℃
B、炎熱天氣時,宜選擇晚間澆筑砼
C、現場溫度高于35℃時,宜對金屬模板進行澆水降溫,但不得留有積水
D、現場溫度高于35℃時,宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
A、采用機動翻斗車或手推車運輸砼時,道路應整平
B、采用攪拌罐車運輸砼時,卸料前應采用快檔旋轉攪拌罐不少于20s
C、因運輸時間長造成拌合物流動度損失過大時,可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時,砼運輸應保證砼連續(xù)泵送
A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應先投入骨料和熱水進行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當骨料不加熱時,拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
最新試題
PN結的基本特性是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。