A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時(shí)，宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時(shí)，應(yīng)多次澆筑，不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)分層澆筑，每層厚度控制在300～350mm
D、在同一時(shí)間段交替泵送不同強(qiáng)度等級(jí)砼時(shí)，輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級(jí)砼
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A、炎熱天氣時(shí)，砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時(shí)，宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí)，宜對(duì)金屬模板進(jìn)行澆水降溫，但不得留有積水
D、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí)，宜采取遮擋措施避免陽(yáng)光直射金屬模板
A、采用機(jī)動(dòng)翻斗車或手推車運(yùn)輸砼時(shí)，道路應(yīng)整平
B、采用攪拌罐車運(yùn)輸砼時(shí)，卸料前應(yīng)采用快檔旋轉(zhuǎn)攪拌罐不少于20s
C、因運(yùn)輸時(shí)間長(zhǎng)造成拌合物流動(dòng)度損失過(guò)大時(shí)，可在澆筑前加入適量水
D、采用泵送砼時(shí)，砼運(yùn)輸應(yīng)保證砼連續(xù)泵送
A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長(zhǎng)砼拌合物初凝時(shí)間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌，然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時(shí)，拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過(guò)85℃
A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計(jì)一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強(qiáng)度評(píng)定應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列是晶體的是（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）