單項(xiàng)選擇題錨具靜載實(shí)驗(yàn)用測力系統(tǒng)的不確定度應(yīng)不大于（）
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題HRC硬度標(biāo)識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
2.單項(xiàng)選擇題140HBW硬度標(biāo)識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
3.單項(xiàng)選擇題一般情況下錨具的硬度要求在哪里可以看到（）
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
4.單項(xiàng)選擇題YJM15-7表示的是（）
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
5.單項(xiàng)選擇題受預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)，孔道情況及實(shí)驗(yàn)裝置等因素的影響，考慮預(yù)應(yīng)力筋拉應(yīng)力不均勻的系數(shù)定義的是預(yù)應(yīng)力筋的（）
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題