單項選擇題HRC硬度標識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
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1.單項選擇題140HBW硬度標識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
2.單項選擇題一般情況下錨具的硬度要求在哪里可以看到（）
A、設計圖
B、產品質保書
C、合同約定內容
D、根據(jù)錨固方式查表
3.單項選擇題YJM15-7表示的是（）
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
4.單項選擇題受預應力鋼材根數(shù)，孔道情況及實驗裝置等因素的影響，考慮預應力筋拉應力不均勻的系數(shù)定義的是預應力筋的（）
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標準差
D、誤差
5.單項選擇題預應力筋用錨具、夾具和連接器國家標準的標準號是（）
A、GB5313-2010
B、GB/T14370-2007
C、JGJ145-2004
D、JG/T5011.8-1992
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題