A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項(xiàng)目
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()