下列是晶體的是（）。 

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

硅片拋光在原理上不可分為（）