單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中含水率、吸水率和相對含水率試驗中含水率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
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1.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中塊體密度試驗中空心率精確至（）。
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準中塊體密度試驗中質(zhì)量精確至（）。
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
3.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗折強度試件加荷速度為（）。
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
4.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗壓強度試件加荷速度為（）。
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
5.單項選擇題混凝土小型空心砌塊試驗方法（GB/T4111-1997）標準抗壓強度試件制備一般用坐漿法，其漿面厚度一般為（）。
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
最新試題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題