單項(xiàng)選擇題混凝土小型空心砌塊試驗(yàn)方法(GB/T4111-1997)標(biāo)準(zhǔn)中塊體密度試驗(yàn)中質(zhì)量精確至()。

A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg


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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()

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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

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可用作硅片的研磨材料是()

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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題