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多項選擇題

?以下關(guān)于CVD的描述正確的有（）。

A.hg≥ks，淀積速率為擴散控制
B.hg≤ks，淀積速率為反應(yīng)控制
C.hg≥ks，淀積速率為反應(yīng)控制
D.hg≤ks，淀積速率為擴散控制

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多項選擇題

CVD淀積SiO₂薄膜過程中主要涉及的運動有哪些？（）

A.漂移運動
B.反應(yīng)運動
C.擴散運動
D.加接運動

多項選擇題

CVD基本過程包括（）。

A.在表面進行化學(xué)反應(yīng)，在表面淀積成薄膜
B.副產(chǎn)物脫離吸附
C.脫吸副產(chǎn)物逸出反應(yīng)室
D.反應(yīng)劑傳輸至襯底表面，反應(yīng)劑吸附在表面

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