多項(xiàng)選擇題

CVD淀積SiO₂薄膜過程中主要涉及的運(yùn)動(dòng)有哪些？（）

A.漂移運(yùn)動(dòng)
B.反應(yīng)運(yùn)動(dòng)
C.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
D.加接運(yùn)動(dòng)

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多項(xiàng)選擇題

CVD基本過程包括（）。

A.在表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在表面淀積成薄膜
B.副產(chǎn)物脫離吸附
C.脫吸副產(chǎn)物逸出反應(yīng)室
D.反應(yīng)劑傳輸至襯底表面，反應(yīng)劑吸附在表面

多項(xiàng)選擇題

?CVD薄膜有哪些應(yīng)用？（）

A.鎢塞
B.鈍化層
C.層間介質(zhì)BPSG