單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
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1.單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
2.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個(gè)因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和()。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
最新試題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
題型:判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:單項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題