單項選擇題

請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

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單項選擇題

單晶硅刻蝕一般采用（）做掩蔽層，以氟化氫為主要的刻蝕劑，氧氣為側(cè)壁鈍化作用的媒介物。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.光刻膠
D.多晶硅

單項選擇題

在IC芯片生長中淺溝槽隔離技術(shù)STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體

A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢壘
D.場氧化層