單項選擇題

在IC芯片生長中淺溝槽隔離技術STI逐漸取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成為相鄰電子元件的絕緣體

A.柵氧化層
B.溝槽
C.勢壘
D.場氧化層

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單項選擇題

在生產(chǎn)過程中必須使用（）來完成淺溝槽隔離STI。

A.單晶硅刻蝕
B.多晶硅刻蝕
C.二氧化硅刻蝕
D.氮化硅刻蝕

單項選擇題

在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF₄的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。

A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體