單項(xiàng)選擇題離子束的引出系統(tǒng)的間接引出系統(tǒng)中，陽(yáng)極和插入電極之間形成一個(gè)離子密度較（）的等離子體。
A.低
B.高
C.均勻
D.不均勻
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1.單項(xiàng)選擇題引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強(qiáng)束流，還希望具有較（）的氣阻。
A.無(wú)序
B.穩(wěn)定
C.小
D.大
2.單項(xiàng)選擇題離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成（）離子，并通過(guò)一個(gè)引出系統(tǒng)形成離子束。
A.正
B.負(fù)
C.中性
D.以上答案都可以
3.單項(xiàng)選擇題在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有（）。
A.電子振蕩放電
B.離子自動(dòng)放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
4.多項(xiàng)選擇題離子注入的主要?dú)怏w源中，劇毒的有（）。
A.砷化氫
B.二硼化氫
C.四氟化硅
D.三氟化磷
E.五氟化磷
5.單項(xiàng)選擇題離子注入裝置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。
A.中子源
B.離子源
C.電子源
D.質(zhì)子源
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離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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題型：?jiǎn)柎痤}
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題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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