多項選擇題二氧化硅層中的鈉離子可能來源于（）。
A.玻璃器皿
B.高溫器材
C.人體沾污
D.化學試劑
E.去離子水
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1.單項選擇題鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。
A.替位式
B.間隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是間隙式
2.單項選擇題硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。
A.鈉
B.鉀
C.氫
D.硼
3.單項選擇題二氧化硅生長過程中，當分凝系數(shù)小于1時，會使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。
A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加
4.單項選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴散系數(shù)
5.多項選擇題（）的方法有利于減少熱預算。
A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強氧化
最新試題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達到終點的終點檢測方法是（）
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題
回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題
假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題