單項選擇題鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。
A.替位式
B.間隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是間隙式
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1.單項選擇題硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。
A.鈉
B.鉀
C.氫
D.硼
2.單項選擇題二氧化硅生長過程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時，會使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。
A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加
3.單項選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴散系數(shù)
4.多項選擇題（）的方法有利于減少熱預(yù)算。
A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強氧化
5.單項選擇題當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。
A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴散速率
D.壓力
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刻蝕的過程中，對刻蝕的要求是（）
題型：多項選擇題
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