單項選擇題硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是（）。
A.鈉
B.鉀
C.氫
D.硼
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1.單項選擇題二氧化硅生長過程中，當(dāng)分凝系數(shù)小于1時，會使二氧化硅-硅界面處硅一側(cè)的雜質(zhì)濃度（）。
A.降低
B.增加
C.不變
D.先降低后增加
2.單項選擇題表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴散系數(shù)
3.多項選擇題（）的方法有利于減少熱預(yù)算。
A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強氧化
4.單項選擇題當(dāng)熱氧化的最初階段，（）為限制反應(yīng)速率的主要原因。
A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)
C.氧的擴散速率
D.壓力
5.單項選擇題當(dāng)二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間（）。
A.t2成正比
B.t2成反比
C.t成正比
D.t成反比
最新試題
回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
題型：單項選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
一般情況下，刻蝕完成后需要進行的操作是（）
題型：單項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項選擇題