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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述外延薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程，其最顯著的特征是什么？
答案：
生長(zhǎng)過(guò)程：①傳輸：反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應(yīng)物吸附在Si表面；③化學(xué)反應(yīng)：在Si表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，...
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問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。
答案：
APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡(jiǎn)單，適于較厚的...
問(wèn)答題
【論述題】CVD淀積過(guò)程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率？
答案：
CVD過(guò)程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
