問(wèn)答題
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程,寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式,并簡(jiǎn)述其中1~5各步的含義。
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
![](https://static.ppkao.com/ppmg/img/appqrcode.png)
最新試題
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。
題型:?jiǎn)柎痤}
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
刻蝕工藝有哪兩種類型?簡(jiǎn)單描述各類刻蝕工藝。
題型:?jiǎn)柎痤}
光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型:?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
解釋鋁已經(jīng)被選擇作為微芯片互連金屬的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}