在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

干法刻蝕的目的是什么？例舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點。干法刻蝕的不足之處是什么？

例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。

描述化學(xué)機械平坦化工藝。