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問答題
【論述題】簡(jiǎn)述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO
2
介質(zhì)薄膜的動(dòng)力學(xué)過程,并說明在什么情況下氧化過程由反應(yīng)控制或擴(kuò)散控制。
答案:
迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測(cè)氧化層厚度,熱氧化過程主要分為以下三個(gè)過程:(1)氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式穿過滯留層...
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問答題
【論述題】簡(jiǎn)述雜質(zhì)在SiO
2
的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO
2
的物理性質(zhì)。
答案:
熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì),某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物,其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長(zhǎng)中有水存在,一種可能發(fā)生...
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問答題
【論述題】
以P
2
O
2
為例說明SiO
2
的掩蔽過程。
答案:
以P
2
O
2
雜質(zhì)源為例來說明SiO
2
的掩蔽過程:當(dāng)P
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