晶體的特點是在各不同晶向上的物理性能、機械性能、化學性能都相同。（）

光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）

半導體芯片制造工藝對水質的要求一般.（）

拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）

液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結晶。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）