問答題

【簡答題】敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

答案： 去除氮化硅使用熱磷酸進行濕法化學剝離掉的。這種酸槽一般始終維持在160°C左右并對露出的氧化硅具有所希望的高選擇...
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【簡答題】哪種化學氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
答案： 多晶硅等離子刻蝕用的化學氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預刻蝕，用于去除自然氧...
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【簡答題】定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
答案： 刻蝕速率=△T/t（A/min）△T=去掉材料的厚度t=刻蝕所用的時間高的刻蝕速率，可以通過精確控制刻蝕時間來控制刻蝕的...
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